A power semiconductor module includes a plastic housing, a plurality of connection elements for external main connections and control connections, and at least one ceramic substrate which is provided at least on its top side with a structured metalization. The at least one ceramic substrate is fitted with semiconductor components and is inserted into a bottom opening of the plastic housing. The connection elements for the external main connections and control connections are connected by detaching a part of the structured metalization from the at least one ceramic substrate and bending it vertically upward to form a grip tab so that the grip tab can be connected to a connection element through the use of a brazed joint or a welded joint. These measures ensure an excellent stability with regard to fluctuating thermal loads.

Een module van de machtshalfgeleider omvat een plastic huisvesting, een meerderheid van verbindingselementen voor externe hoofdverbindingen en controleverbindingen, en minstens één ceramisch substraat dat wordt voorzien op zijn minst aan zijn hoogste kant van een gestructureerde metalization. Het minstens één ceramische substraat wordt gepast met halfgeleidercomponenten en in bodem het openen van de plastic huisvesting opgenomen. De verbindingselementen voor de externe belangrijkste verbindingen en controleverbindingen worden verbonden door een deel van gestructureerde metalization van het minstens één ceramische substraat los te maken en het verticaal omhoog te buigen om een greeplusje te vormen zodat het greeplusje met een verbindingselement door het gebruik van een gesoldeerde verbinding of een gelaste verbinding kan worden verbonden. Deze maatregelen verzekeren een uitstekende stabiliteit met betrekking tot schommelende thermische ladingen.