It is an object of the present invention to control the crystal orientation of a ferroelectric thin film as dictated by the application of a ferroelectric thin film device. To accomplished the stated object, a bottom electrode containing at least iridium is formed over a surface preparation layer whose main component is zirconium oxide, and an ultra-thin titanium layer is laminated over the bottom electrode. An amorphous layer containing the elemental metal and elemental oxygen that constitute the ferroelectric is formed over the titanium layer, and a crystallized ferroelectric thin film is formed by heat treating this amorphous layer. If the thickness of the titanium layer is kept between 2 nm and 10 nm in the lamination thereof, the ferroelectric thin film will have a priority orientation of (100), and if it is kept between 10 nm and 20 nm, the ferroelectric thin film will have a priority orientation of (111).

Будет предметом присытствыющего вымысла для того чтобы контролировать crystal ориентацию ferroelectric тонкой пленки как продиктовано применением ferroelectric приспособления тонкой пленки. К выполнил заявленный предмет, нижний электрод содержа по крайней мере иридий сформирован над слоем поверхностной подготовки компонентом которого главным образом будет окись циркония, и ultra-thin titanium слой прокатан над нижним электродом. Аморфический слой содержа elemental металл и elemental кислород образовывают ferroelectric сформирован над titanium слоем, и выкристаллизовыванной ferroelectric тонкой пленкой сформирован жарой обрабатывая этот аморфический слой. Если толщина titanium слоя сдержана между 2 nm и 10 nm в слоении thereof, то ferroelectric тонкая пленка будет иметь ориентацию приоритета (100), и если она сдержана между 10 nm и 20 nm, то ferroelectric тонкую пленку будет иметь ориентацию приоритета (111).