A non-volatile memory comprising a semiconductor active layer provided on an insulating substrate, an insulating film provided on the semiconductor active layer, a floating gate electrode provided on the insulating film, an anodic oxidized film obtained by anodic oxidation of the floating gate electrode, and a control gate electrode provided in contact with the anodic oxidized film, and a semiconductor device, particularly a liquid crystal display device comprising the non-volatile memory.

Una memoria permanente que abarcaba una capa activa del semiconductor proporcionó en un substrato aislador, una película aislador proporcionada en la capa activa del semiconductor, un electrodo de puerta flotante proporcionado en la película aislador, una película oxidada anódica obtenida por la oxidación anódica el electrodo de puerta flotante, y un electrodo de puerta del control proporcionado en contacto de la película oxidada anódica, y de un dispositivo de semiconductor, particularmente un dispositivo del indicador de cristal líquido que abarcaba la memoria permanente.