The present invention provides a method for depositing nano-porous low dielectric constant films by reacting an oxidizable silicon containing compound or mixture comprising an oxidizable silicon component and an oxidizable non-silicon component having thermally liable groups with nitrous oxide, oxygen, ozone, or other source of reactive oxygen in gas-phase plasma-enhanced reaction. The deposited silicon oxide based film is annealed to form dispersed microscopic voids that remain in a nano-porous silicon oxide based film having a low-density structure. The nano-porous silicon oxide based films are useful for forming layers between metal lines with or without liner or cap layers. The nano-porous silicon oxide based films may also be used as an intermetal dielectric layer for fabricating dual damascene structures. Preferred nano-porous silicon oxide based films are produced by reaction of methylsilyl-1,4-dioxinyl ether or methylsiloxanyl furan and 2,4,6-trisilaoxane or cyclo-1,3,5,7-tetrasilylene-2,6-dioxy-4,8 dimethylene with nitrous oxide or oxygen followed by a cure/anneal that includes a gradual increase in temperature.

La actual invención proporciona un método para depositar las películas bajas nano-porosas de la constante dieléctrica reaccionando un silicio oxidizable que contiene el compuesto o la mezcla que abarca un componente oxidizable del silicio y un componente oxidizable del no-silicio que tienen termal grupos obligados con el óxido nitroso, el oxígeno, el ozono, o la otra fuente del oxígeno reactivo en la reacción plasma-realzada en fase gaseosa. La película basada óxido depositada del silicio se recuece para formar los vacíos microscópicos dispersados que sigue habiendo en una película basada óxido nano-poroso del silicio que tiene una estructura de baja densidad. Las películas basadas óxido nano-poroso del silicio son útiles para formar capas entre las líneas del metal con o sin capas del trazador de líneas o del casquillo. Las películas basadas óxido nano-poroso del silicio se pueden también utilizar como capa dieléctrica intermetal para fabricar las estructuras damasquinas duales. Las películas basadas óxido nano-poroso preferidas del silicio son producidas por la reacción del éter de methylsilyl-1,4-dioxinyl o furan del methylsiloxanyl y el dimethylene 2,4,6-trisilaoxane o cyclo-1,3,5,7-tetrasilylene-2,6-dioxy-4,8 con el óxido nitroso o el oxígeno seguido por un cure/anneal que incluya un aumento gradual en temperatura.