A method of uniquely extracting both intrinsic and parasitic components from a single set of measured S-parameters is useful for extracting a single set of measured S-parameters for the development of non-linear Field Effect Transistor (FET) models. Competitive extraction where multiple trial solutions are attempted spanning a region or space of feedback impedances is used. Extraction is followed by optimization that reduces the extracted values to a model that better fits measured S-parameters. Optimization can be achieved by further evaluating the speed of convergence in an error metric.

Een methode om zowel intrinsieke als parasitische componenten uit één enkele reeks gemeten s-Parameters uniek te halen is nuttig om één enkele reeks gemeten s-Parameters voor de ontwikkeling van de niet-lineaire modellen van het Effect van het Gebied te halen van de Transistor (FET). De concurrerende extractie waar de veelvoudige proefoplossingen overspannend een gebied of een ruimte van terugkoppelingsimpedantie worden geprobeerd wordt gebruikt. De extractie wordt gevolgd door optimalisering die de gehaalde waarden tot een model vermindert dat de betere pasvormen s-Parameters maten. De optimalisering kan worden bereikt door de snelheid van convergentie in een metrische fout verder te evalueren.