There is provided a semiconductor device including a storage capacitor having sufficient capacity and a minimum area. The storage capacitor of a pixel region has such a structure that a first storage capacitor and a second storage capacitor are stacked one on top of the other and are connected in parallel with each other. At that time, the first storage capacitor comprises a first capacitance electrode formed in the same layer as a drain region, a first dielectric, and a second capacitance electrode formed in the same layer as a gate wiring. The second storage capacitor comprises the second capacitance electrode, a second dielectric, and a third capacitance electrode formed in the same layer as a light-shielding film.

Se proporciona un dispositivo de semiconductor incluyendo un condensador del almacenaje que tiene suficiente capacidad y un área mínima. El condensador del almacenaje de una región del pixel tiene tal estructura que un primer condensador del almacenaje y un segundo condensador del almacenaje se apilen uno encima del otro y estén conectados en paralelo con uno a. En aquella 'epoca, el primer condensador del almacenaje abarca un primer electrodo de la capacitancia formado en la misma capa que una región del dren, un primer dieléctrico, y un segundo electrodo de la capacitancia formado en la misma capa que un cableado de la puerta. El segundo condensador del almacenaje abarca el segundo electrodo de la capacitancia, un segundo dieléctrico, y un tercer electrodo de la capacitancia formado en la misma capa que una película luz-que blinda.