A method and a structure for a parasitic bipolar silicided ESD device that has high resistivity regions within the collector of the parasitic NPN. The device has the structure of a N-MOS transistor and a substrate contact. The device preferably has silicide regions over the doped regions. The invention has two types of high resistivity regions: 1) isolation regions (e.g., oxide shallow trench isolation (STI)) and 2) undoped or lightly doped regions (e.g., channel regions). The channel regions can have gates thereover and the gates can be charged. Also, optionally a n.sup.- well (n minus well) can be formed under the collector. The high resistivity regions increase the collector resistivity thereby improving the performance of the parasitic bipolar ESD device.

Un metodo e una struttura per un bipolare parassita silicided il dispositivo di ESD che ha alte regioni di resistività all'interno del collettore del NPN parassita. Il dispositivo ha la struttura di un transistore di N-MOS e di un contatto del substrato. Il dispositivo ha preferibilmente eccedenza di regioni del silicide le regioni verniciate. L'invenzione ha due tipi di alte regioni di resistività: 1) regioni di isolamento (per esempio, isolamento poco profondo della trincea dell'ossido (STI)) e 2) regioni undoped o leggermente verniciate (per esempio, regioni della scanalatura). Le regioni della scanalatura possono avere thereover dei cancelli ed i cancelli possono essere caricati. Inoltre, facoltativamente un n.sup. - buono (n meno il pozzo) può essere formato sotto il collettore. Le alte regioni di resistività aumentano la resistività di collettore quindi che migliora le prestazioni del dispositivo bipolare parassita di ESD.