A multibit magnetic memory cell includes first and second data layers. An
antiferromagnetically coupled layer pair is disposed between the first and
second data layers. In one embodiment the first and second data layers
have distinct coercivities. The memory cell structure comprises a
plurality of separation layers separating the first and second data layers
and the antiferromagnetically coupled layer pair. In one embodiment, a
coupling layer disposed between the antiferromagnetically coupled layer
pair is a metallic conductive material comprising Ruthenium (Ru) or copper
(Cu). In one embodiment, separation layers disposed between each of the
first and second data layers and the antiferromagnetically coupled pair is
nonconductive such that the cell is a spin dependent tunneling
magnetoresistive (TMR) cell. Alternatively, the separation layers are
conductive such that the cell is a giant magnetoresistive (GMR) cell. In
various embodiments, a height of the first and second data layers is
distinct. The height of a separation layer between the second data layer
and one of the pair of reference layers is not the same as a height of a
separation layer between the first data layer and the other one of the
pair of reference layers in another embodiment.
Eine multibit magnetische Speicherzelle schließt zuerst und zweite Datenschichten ein. Ein antiferromagnetically verbundenes Schichtpaar wird zwischen den ersten und zweiten Datenschichten abgeschaffen. In einer Verkörperung haben die ersten und zweiten Datenschichten eindeutige Koerzitivkräfte. Die Speicherzelle Struktur enthält eine Mehrzahl von den Trennung Schichten, welche die ersten und zweiten Datenschichten und das antiferromagnetically verbundene Schichtpaar trennen. In einer Verkörperung schuf eine Koppelung Schicht zwischen dem antiferromagnetically verbundenen Schichtpaar ist ein metallisches leitendes Material ab, das Ruthenium (Ru) enthält oder Kupfer (Cu). In einer Verkörperung schufen Trennung Schichten zwischen jedem vom ersten ab und zweite Datenschichten und das antiferromagnetically verbundene Paar ist so nicht leitfähig, daß die Zelle ein Drehbeschleunigungabhängiges ist, das magnetoresistente einen Tunnel anlegt, Zelle (TMR). Wechselweise sind die Trennung Schichten so leitend, daß die Zelle eine riesige magnetoresistente Zelle (GMR) ist. In den verschiedenen Verkörperungen ist eine Höhe der ersten und zweiten Datenschichten eindeutig. Die Höhe einer Trennung Schicht zwischen der der zweiten Datenschicht und des Paares von Bezugsschichten ist- nicht dieselbe, die eine Höhe einer Trennung Schicht zwischen der ersten Datenschicht und der anderen des Paares des Hinweises in einer anderen Verkörperung überlagert.
