The semiconductor light emitting device has the first semiconductor light emission element 13 for emitting color light in the first wave length range, the second semiconductor light emission element 14 for emitting color light in the second wave length range, the frame electrode 11 for mounting the first and second semiconductor light emission elements, and the package 19 for molding them together. The first semiconductor light emission element 13 is composed of an InGaAlP series material having an active layer 34 composed of a plurality of composite luminous layers 54, 55, 56, and 57 for emitting color light with a different wavelength. Luminescence spectra from the plurality of luminous layers are partially overlapped with each other. Each of the plurality of composite luminous layers 54, 55, 56, and 57 is further composed of a plurality of luminous layers 58 for emitting color light with substantially the same wavelength.

El dispositivo que emite ligero del semiconductor tiene el elemento ligero 13 de la emisión del primer semiconductor para emitir la luz del color en la primera gama de la longitud de onda, el elemento ligero 14 de la emisión del segundo semiconductor para emitir la luz del color en la segunda gama de la longitud de onda, el electrodo 11 del marco para montar los elementos ligeros de la emisión del primer y segundo semiconductor, y el paquete 19 para el moldeado ellos juntos. El elemento ligero 13 de la emisión del primer semiconductor se compone de un material de la serie de InGaAlP que tiene una capa activa 34 integrada por una pluralidad de las capas luminosas compuestas 54, 55, 56, y 57 para emitir la luz del color con una diversa longitud de onda. Los espectros de la luminescencia de la pluralidad de capas luminosas se traslapan parcialmente con uno a. Cada uno de la pluralidad de las capas luminosas compuestas 54, 55, 56, y 57 se compone más a fondo de una pluralidad de las capas luminosas 58 para emitir la luz del color con substancialmente la misma longitud de onda.