Disclosed herein is a semiconductor device with high reliability which has TFT of adequate structure arranged according to the circuit performance required. The semiconductor has the driving circuit and the pixel portion on the same substrate. It is characterized in that the storage capacitance is formed between the first electrode formed on the same layer as the light blocking film and the second electrode formed from a semiconductor film of the same composition as the drain region, and the first base insulating film is removed at the part of the storage capacitance so that the second base insulating film is used as the dielectric of the storage capacitance. This structure provides a large storage capacitance in a small area.

Hierin gegeben ein Halbleiterelement mit hoher Zuverlässigkeit frei, die TFT der ausreichenden Struktur geordnet entsprechend der erforderten Stromkreisleistung hat. Der Halbleiter hat den treibenden Stromkreis und den Pixelteil auf dem gleichen Substrat. Es wird dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherkapazitanz zwischen der ersten Elektrode gebildet wird, die auf der gleichen Schicht wie der helle blockierende Film gebildet werden und der zweiten Elektrode, die von einem Halbleiterfilm des gleichen Aufbaus wie die Abflußregion gebildet wird, und der erste Unterseite isolierende Film wird am Teil der Speicherkapazitanz entfernt, damit der zweite Unterseite isolierende Film als der Nichtleiter der Speicherkapazitanz benutzt wird. Diese Struktur liefert eine große Speicherkapazitanz in einem kleinen Bereich.