An active layer is formed by using a crystalline silicon film that has been crystallized by utilizing a metal element for accelerating crystallization. A heat treatment is performed in an atmosphere containing a halogen element to remove the metal element by gettering. As a result, the active layer becomes a crystal structural body that is a collection of a plurality of needle-like or columnar crystals. A semiconductor device constructed by using this crystal structural body is given much superior performance.

Une couche active est constituée en employant un film cristallin de silicium qui a été cristallisé en utilisant un élément en métal pour la cristallisation d'accélération. Un traitement thermique est effectué dans une atmosphère contenant un élément d'halogène pour enlever l'élément en métal par gettering. En conséquence, la couche active devient un corps structural en cristal qui est une collection d'une pluralité de cristaux aciculaires ou colomnaires. Un dispositif de semi-conducteur construit en employant ce corps structural en cristal est donné l'exécution beaucoup supérieure.