In a field emission electron source, a strong electric field drift part 106 is formed on the n-type silicon substrate on the principal surface thereof and a surface electrode 107 made of a gold thin film is formed on the strong electric field drift part 106. And the ohmic electrode 2 is formed on the back surface of the n-type silicon substrate 101. In this field emission electron source 110, when the surface electrode 107 is disposed in the vacuum and a DC voltage is applied to the surface electrode 107 which is of a positive polarity with respect to the n-type silicon substrate 101 (ohmic electrode 2), electrons injected from the n-type silicon substrate 101 are drifted in the strong electric field drift part 106 and emitted through the surface electrode 107. The strong electric field drift part 106 comprises a drift region 161 which has a cross section in the structure of mesh at right angles to the direction of thickness of the n-type silicon substrate 1, which is an electrically conductive substrate, and a heat radiation region 162 which is filled in the voids ox the mesh and has a heat conduction higher than that of the drift region 161.

In een het elektronenbron van de gebiedsemissie, wordt sterk elektrisch veld afwijkingsdeel 106 daarvan gevormd op het n-type siliciumsubstraat op de belangrijkste oppervlakte en een oppervlakteelektrode 107 die van een gouden dunne film wordt wordt gemaakt gevormd op sterk elektrisch veld afwijkingsdeel 106, en ohmic elektrode 2 wordt gevormd op de achteroppervlakte van n-type siliciumsubstraat 101. In deze het elektronenbron 110 van de gebiedsemissie, wanneer oppervlakteelektrode 107 in het vacuüm wordt geschikt en een voltage van DC wordt toegepast op oppervlakteelektrode 107 die van een positieve polariteit met betrekking tot n-type siliciumsubstraat 101 is (ohmic elektrode 2), zijn de elektronen die van n-type siliciumsubstraat 101 worden ingespoten afgedreven in sterk elektrisch veld afwijkingsdeel 106 en door oppervlakteelektrode 107 uitgezonden. Sterk elektrisch veld afwijkingsdeel 106 bestaat uit een afwijkingsgebied 161 dat een dwarsdoorsnede recht in de structuur van netwerk aan de richting van dikte van n-type siliciumsubstraat 1 hebben, dat een elektrisch geleidend substraat is, en uit een gebied 162 van de hittestraling dat de leegtenos het netwerk wordt ingevuld en een hittegeleiding hoger dan dat van afwijkingsgebied 161 heeft.