Micron-scale, self-contained, ultra-high density and ultra-high speed storage devices include a read/write head and a surface, containing bit-storage domains, that acts as the storage medium. The read/write element of the memory device may consist of a single or multiple heads. The read/write head may be mounted on microelectromechanical structures driven at mechanical resonance. Addressing of individual bits is accomplished by positioning of the head element in close proximity to bit domains situated on the storage medium.

Micro'n-escale, densidad autónoma, ultraalta y los dispositivos de almacenaje ultraaltos de la velocidad incluyen una cabeza de lectura/grabación y una superficie, conteniendo dominios del pedacito-almacenaje, que actúa como el medio de almacenaje. El elemento de lectura/grabación del dispositivo de memoria puede consistir en cabezas solas o múltiples. La cabeza de lectura/grabación se puede montar en las estructuras microelectromechanical conducidas en la resonancia mecánica. La dirección de pedacitos individuales es lograda colocando del elemento principal en proximidad cercana a los dominios del pedacito situados en el medio de almacenaje.