A semiconductor device includes a semiconductor chip. A substrate is arranged in opposition to the semiconductor chip. A first electrode is placed on the semiconductor chip while a second electrode is placed on the substrate. Each of the first and second electrodes is made of the same electrode material. An intermetallic compound layer is formed between the first electrode and the second electrode. The intermetallic compound layer is entirely a binary alloy of the electrode material and a bonding material that was applied to at least one of the first and second electrodes.

Μια συσκευή ημιαγωγών περιλαμβάνει ένα τσιπ ημιαγωγών. Ένα υπόστρωμα τακτοποιείται στην αντίθεση στο τσιπ ημιαγωγών. Ένα πρώτο ηλεκτρόδιο τοποθετείται στο τσιπ ημιαγωγών ενώ ένα δεύτερο ηλεκτρόδιο τοποθετείται στο υπόστρωμα. Κάθε ένα από τα πρώτα και δεύτερα ηλεκτρόδια αποτελείται από το ίδιο υλικό ηλεκτροδίων. Ένα μεσομεταλλικό σύνθετο στρώμα διαμορφώνεται μεταξύ του πρώτου ηλεκτροδίου και του δεύτερου ηλεκτροδίου. Το μεσομεταλλικό σύνθετο στρώμα είναι εξ ολοκλήρου ένα δυαδικό κράμα του υλικού ηλεκτροδίων και ενός συνδέοντας υλικού που εφαρμόστηκε τουλάχιστον σε ένα από τα πρώτα και δεύτερα ηλεκτρόδια.