A semiconductor device comprising: a semiconductor element having a plurality of electrodes; a passivation film formed on the semiconductor element in a region avoiding at least a part of each of the electrodes; a conductive foil provided at a given spacing from the surface on which the passivation film is formed; an external electrodes formed on the conductive foil; intermediate layer formed between the passivation film and the conductive foil to support the conductive foil; and wires electrically connecting the electrodes to the conductive foil; wherein a depression tapered in a direction from the conductive foil to the passivation film if formed under a part of the conductive foil that includes the connection with the external electrodes.

Une comportement de dispositif de semi-conducteur : un élément de semi-conducteur ayant une pluralité d'électrodes ; un film de passivation a formé sur l'élément de semi-conducteur dans une région évitant au moins une partie de chacune des électrodes ; un clinquant conducteur a fourni à un espacement donné de la surface sur laquelle le film de passivation est formé ; les électrodes externes ont formé sur le clinquant conducteur ; la couche intermédiaire a formé entre le film de passivation et le clinquant conducteur pour soutenir le clinquant conducteur ; et fils reliant électriquement les électrodes au clinquant conducteur ; où une dépression a effilé dans une direction du clinquant conducteur au film de passivation si formé sous une partie du clinquant conducteur qui inclut le raccordement avec les électrodes externes.