A nitride semiconductor light-emitting device has an active layer of a single-quantum well structure or multi-quantum well made of a nitride semiconductor containing indium and gallium. A first p-type clad layer made of a p-type nitride semiconductor containing aluminum and gallium is provided in contact with one surface of the active layer. A second p-type clad layer made of a p-type nitride semiconductor containing aluminum and gallium is provided on the first p-type clad layer. The second p-type clad layer has a larger band gap than that of the first p-type clad layer. An n-type semiconductor layer is provided in contact with the other surface of the active layer.

Un dispositivo luminescente a semiconduttore del nitruro ha uno strato attivo di una struttura o di un multi-quantum del pozzo di singolo-quantum fatto bene di un semiconduttore del nitruro che contiene l'indio ed il gallio. Un primo p-tipo strato placcato fatto di un p-tipo semiconduttore del nitruro che contiene l'alluminio ed il gallio è fornito in contatto con una superficie dello strato attivo. Un secondo p-tipo strato placcato fatto di un p-tipo semiconduttore del nitruro che contiene l'alluminio ed il gallio è fornito sul primo p-tipo strato placcato. Il secondo p-tipo strato placcato ha un più grande spacco della fascia che quella del primo p-tipo strato placcato. Un n-tipo strato a semiconduttore è fornito in contatto con l'altra superficie dello strato attivo.