The magnetoresistive memory has a reduced current density in the bit lines and/or word lines. This avoids electromigration problems. The current density is reduced such that a compact field concentration is attained, for example, by the use of ferrite in the area around the magnetic memory cells.

Das magnetoresistente Gedächtnis hat eine verringerte spezifische Stromdichte in den Spitze Linien und/oder in den Wortlinien. Dieses vermeidet Electromigrationprobleme. Der spezifischen Stromdichte wird so verringert, daß ein Vertrag Konzentration wird erreicht z.B. durch den Gebrauch des Ferrits im Bereich um die magnetischen Speicherzellen auffangen.