A semiconductor laser device includes a semiconductor substrate, an active region formed on the semiconductor substrate and configured to radiate light having a predetermined wavelength range, and a wavelength selecting structure configured to select a first portion of the radiated light for emitting from the semiconductor laser device. An absorption region is located in a vicinity of the active region and configured to selectively absorb a second portion of the radiated light, and the first portion of the radiated light has a different wavelength than the second portion of the radiated light. The absorption region may be an integrated diffraction grating or a selective absorption region of the laser device. The semiconductor laser device may be used in an optical fiber amplifier such as a raman amplifier, a wavelength division multiplexing system, or a semiconductor laser module.

Μια συσκευή λέιζερ ημιαγωγών περιλαμβάνει ένα υπόστρωμα ημιαγωγών, μια ενεργό περιοχή που διαμορφώνονται στο υπόστρωμα ημιαγωγών και που διαμορφώνονται για να ακτινοβολήσουν το φως που έχει μια προκαθορισμένη σειρά μήκους κύματος, και ένα μήκος κύματος επιλέγοντας τη δομή που διαμορφώνεται για να επιλέξει μια πρώτη μερίδα του ακτινοβολούντος φωτός για την εκπομπή από τη συσκευή λέιζερ ημιαγωγών. Μια περιοχή απορρόφησης βρίσκεται σε μια εγγύτητα της ενεργού περιοχής και διαμορφώνεται για να απορροφήσει επιλεκτικά μια δεύτερη μερίδα του ακτινοβολούντος φωτός, και η πρώτη μερίδα του ακτινοβολούντος φωτός έχει ένα διαφορετικό μήκος κύματος από τη δεύτερη μερίδα του ακτινοβολούντος φωτός. Η περιοχή απορρόφησης μπορεί να είναι ένα ενσωματωμένο κιγκλίδωμα διάθλασης ή μια εκλεκτική περιοχή απορρόφησης της συσκευής λέιζερ. Η συσκευή λέιζερ ημιαγωγών μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε έναν ενισχυτή οπτικών ινών όπως ένας raman ενισχυτής, ένα πολλαπλασιάζοντας σύστημα τμήματος μήκους κύματος, ή μια ενότητα λέιζερ ημιαγωγών.