Heating at the end face while operating in a high output is prevented and reliability improves in a semiconductor laser device. On an n-GaAs substrate, laminated are n-Al.sub.z1 Ga.sub.1-z1 As lower cladding layer, an n- or i-In.sub.0.49 Ga.sub.0.51 P lower optical waveguide layer, an In.sub.x3 Ga.sub.1-x3 As.sub.1-y3 P.sub.y3 quantum well active layer, a p- or i-In.sub.0.49 Ga.sub.0.51 P upper first optical waveguide layer, a GaAs cap layer and SiO.sub.2 film. Then a width of about 20 .mu.m of the SiO.sub.2 film is removed inwardly from the cleaved surface. Using the SiO.sub.2 film as a mask, the cap layer near the end face and the upper first optical waveguide layer are removed. Then the SiO.sub.2 film, the quantum well active layer near the end face and the remaining cap layer are removed. A p- or i-In.sub.0.49 Ga.sub.0.51 P upper second optical waveguide layer, a p-Al.sub.z1 Ga.sub.1-z1 As upper cladding layer and a p-GaAs contact layer are deposited thereon.

Топление на стороне конца пока работать в наивысшийа уровень выработки предотвращен и надежности улучшает в приспособлении лазера полупроводника. На прокатанном субстрате н-n-GaAs, n-Al.sub.z1 Ga.sub.1-z1 как более низкий слой плакирования, n- или слой волновода i-In.sub.0.49 Ga.sub.0.51 п более низко оптически, слой добра суммы In.sub.x3 Ga.sub.1-x3 As.sub.1-y3 P.sub.y3 активно, p- или слой волновода верхушкы i-In.sub.0.49 Ga.sub.0.51 п сперва оптически, слой крышки gaAs и пленка SiO.sub.2. После этого ширина mu.m около 20 пленки SiO.sub.2 извлекается внутренно от ой поверхности. Использующ пленку SiO.sub.2 как маска, слой крышки почти сторона конца и слой волновода верхушкы сперва оптически извлечутся. После этого извлечутся пленка SiO.sub.2, слой добра суммы активно почти сторона конца и остальной слой крышки. Слой p- или волновода верхушкы i-In.sub.0.49 Ga.sub.0.51 п во-вторых оптически, p-Al.sub.z1 Ga.sub.1-z1 как верхний слой плакирования и слой контакта п-p-GaAs депозированы thereon.