Two overlapped semiconductor materials are welded by a melt welding under the influence of a heat source of high energy density. The energy output of the heat source is ramped up slowly at the beginning of welding and ramped down slowly at completion of welding. In one embodiment the semiconductor materials are preheated before welding. In another embodiment, the effective position of the heat source on the semiconductor materials is periodically deflected.

Twee overlapte halfgeleidermaterialen worden gelast door een smeltingslassen onder de invloed van een hittebron met hoge energiedichtheid. De energieoutput van de hittebron is hellend omhoog langzaam aan het begin van lassen en hellende beneden langzaam bij voltooiing van lassen. In één belichaming worden de halfgeleidermaterialen voorverwarmd vóór lassen. In een andere belichaming, wordt de efficiënte positie van de hittebron over de halfgeleidermaterialen periodiek doen afwijken.