A film forming apparatus and method of the present invention include a substrate holding section for holding a plurality of substrates in a plane within a chamber, first and second process gas discharge sections provided opposite to the substrate holding section to discharge first and second process gases, a rotation mechanism for rotating the substrate holder, and a heater for heating the substrates. While the substrates are rotating as the substrate holding section rotates, the substrate holding section, first and second mono atomic layers are alternately stacked on the corresponding substrates. A compound film is therefore formed through a reaction involved under heating.

Un film formant l'appareil et la méthode de la présente invention incluent un substrat tenant la section pour tenir une pluralité de substrats dans un avion dans une chambre, d'abord et les deuxièmes sections de décharge de gaz de processus fournies vis-à-vis le substrat tenant la section à la décharge d'abord et les deuxièmes gaz de processus, un mécanisme de rotation pour tourner le support de substrat, et un réchauffeur pour chauffer les substrats. Tandis que les substrats tournent pendant que le substrat tenant la section tourne, le substrat tenant la section, des couches atomiques d'abord et en second lieu mono sont alternativement empilés sur les substrats correspondants. Un film composé est donc formé par une réaction impliquée sous le chauffage.