A method of creating a pattern for a mask adapted for use in lithographic production of features on a substrate. The method comprises initially providing a mask pattern of a feature to be created on the substrate using the mask. The method then includes establishing target dimensional bounds of the pattern, determining simulated achievable dimensional bounds of the pattern, comparing the target dimensional bounds of the pattern to the simulated achievable dimensional bounds of the pattern, and determining locations where the simulated achievable dimensional bounds of the pattern differ from the target dimensional bounds of the pattern. In its preferred embodiment, the feature is an integrated circuit to be lithographically produced on a semiconductor substrate.

Μια μέθοδος ένα σχέδιο για μια μάσκα που προσαρμόζεται για τη χρήση στη λιθογραφική παραγωγή των χαρακτηριστικών γνωρισμάτων σε ένα υπόστρωμα. Η μέθοδος περιλαμβάνει αρχικά να παράσχει ένα σχέδιο μασκών ενός χαρακτηριστικού γνωρίσματος που δημιουργείται στο υπόστρωμα χρησιμοποιώντας τη μάσκα. Η μέθοδος περιλαμβάνει έπειτα την καθιέρωση των διαστατικών ορίων στόχων του σχεδίου, τον καθορισμό των μιμούμενων επιτεύξιμων διαστατικών ορίων του σχεδίου, τη σύγκριση των διαστατικών ορίων στόχων του σχεδίου με τα μιμούμενα επιτεύξιμα διαστατικά όρια του σχεδίου, και τον καθορισμό των θέσεων όπου τα μιμούμενα επιτεύξιμα διαστατικά όρια του σχεδίου διαφέρουν από τα διαστατικά όρια στόχων του σχεδίου. Στην προτιμημένη ενσωμάτωσή του, το χαρακτηριστικό γνώρισμα είναι ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα που παράγεται lithographically σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών.