A manufacturing method of a magnetic memory device, wherein the inventive method does not require any special technique for forming pattern, but bilaterally ensures precision for processing a tunnel magneto-resistive effect element (called TMR element) and self-matching formation of connecting elements. The manufacturing method of a magnetic memory device comprises a processing step of forming a tunnel magneto-resistive effect film sandwiching a tunnel barrier layer between a magnetic pinned layer and a memory layer into a predetermined elementary configuration by applying a mask layer, wherein the mask layer is formed by applying a plating process.

Eine Produktionsmethode eines magnetischen größtintegrierten Speicherbauelements, worin die erfinderische Methode keine spezielle Technik für die Formung des Musters erfordert, aber stellt bilateral Präzision für die Verarbeitung eines magnetoresistenten Effektelements des Tunnels (genannt TMR Element) und das Selbst-Zusammenbringen von von Anordnung der anschließenden Elemente sicher. Die Produktionsmethode eines magnetischen größtintegrierten Speicherbauelements enthält einen Verarbeitungsschritt von der Formung eines magnetoresistenten Effektfilmes des Tunnels, der eine Tunnelgrenzschicht zwischen einer magnetischen festgesteckten Schicht und einer Gedächtnisschicht in eine vorbestimmte grundlegende Konfiguration sandwiching ist, indem sie eine Schablone Schicht anwendet, worin die Schablone Schicht gebildet wird, indem man einen Überzugprozeß anwendet.