A method for forming a cell capacitor used for a high-integrated DRAM is disclosed which guarantees interfacial properties of aluminum oxide and excellent leakage current preventive properties by depositing an aluminum oxide layer and a mixed layer of TiON and TiO.sub.2 as dielectric layers on a semiconductor substrate having a predetermined lower substructure by an atomic layer deposition (ALD) method and thus forming a double layer structure, and simultaneously providing a high capacitance by using a high dielectric property of a mixed layer of TiON and TiO.sub.2.

Um método para dar forma a um capacitor da pilha usado para um DRAM elevado-integrado é divulgado que garanta propriedades interfacial do óxido de alumínio e propriedades preventivas atuais do escapamento excelente depositando uma camada do óxido de alumínio e uma camada misturada de TiON e de TiO.sub.2 como camadas dieléctricas em uma carcaça do semicondutor que tem uma subestrutura mais baixa predeterminada por um método atômico do deposition da camada (ALD) e que dá forma assim a uma estrutura dobro da camada, e simultaneamente fornecer uma capacidade elevada usando uma propriedade dieléctrica elevada de uma camada misturada de TiON e de TiO.sub.2.