A data storage device is disclosed that includes a resistive cross point array of memory cells, a plurality of word lines, and a plurality of bit lines, and a sense amplifier that utilizes a cross-coupled latch sense circuit. The memory cells can be single cross points in one embodiment. In another embodiment, the memory cells are arranged into multiple groups of two or more memory cells. The memory cells of each group are connected between a respective word line and a common isolation diode that is coupled to a bit line.

Een gegevensopslaggelegenheid wordt onthuld die een weerstand biedende dwarspuntserie van geheugencellen, een meerderheid van woordlijnen, en een meerderheid van beetjelijnen omvat, en een betekenisversterker die een dwars-gekoppelde kring van de klinkbetekenis gebruikt. De geheugencellen kunnen enige dwarspunten in één belichaming zijn. In een andere belichaming, worden de geheugencellen geschikt in veelvoudige groepen van twee of meer geheugencellen. De geheugencellen van elke groep worden verbonden tussen een respectieve woordlijn en een gemeenschappelijke isolatiediode die aan een beetjelijn wordt gekoppeld.