A method and apparatus for selecting a rowline in a MRAM device. A rowline select circuit is provided on a first side of each rowline and connects the rowline to ground when a memory cell in the rowline is being written to and to a voltage source when a memory cell in the rowline is being read. A rowline stack select circuit is provided on the second side of each rowline and is connected to one rowline on each plane of memory. When a memory cell is being accessed, the rowline containing that memory cell as well as each other rowline connected to the same rowline stack select circuit are connected to a current source.

Une méthode et un appareil pour choisir un rowline dans un dispositif de MRAM. Un circuit choisi de rowline est fourni d'un premier côté de chaque rowline et met le rowline à la terre quand une cellule de mémoire dans le rowline est écrite et à une source de tension quand une cellule de mémoire dans le rowline est lue. Un circuit choisi de pile de rowline est fourni du verso de chaque rowline et est relié à un rowline sur chaque plan de mémoire. Quand une cellule de mémoire est consultée, le rowline contenant que la cellule de mémoire comme rowline s'est reliée au même circuit choisi de pile de rowline sont reliés à une source courante.

 
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< Hybrid circuit having nanotube electromechanical memory

< Method of forming a recessed magnetic storage element

> Semiconductor device

> System and method for determining the logic state of a memory cell in a magnetic tunnel junction memory device

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