A method for making of an optoelectronic device and the device therefor comprising confinement layers, waveguides and active layers, all of which comprise a superlattice of binary III-V compounds.

Un metodo per fare di un dispositivo optoelettronico e del dispositivo per questo che contengono gli strati di relegazione, le guide di onde e gli strati attivi, che contengono un superlattice i residui binari di III-V.