SILC characteristics and density of GOI defects of silicon wafers with thin dielectric films (e.g. SiO.sub.2) are determined using a non-contact method that does not require any test structures on the wafer. The method includes stressing a dielectric with a corona discharge and measuring the dielectric current-dielectric voltage (I-V) characteristics by monitoring under illumination the corona charge neutralization after stress. An I-V measurement done as function of corona fluence gives SILC characteristics of the wafer. The SILC characteristics are then compared at a constant dielectric field to provide a measure of GOI defect density. The I-V characteristic corresponding to low fluence that does not generate measurable SILC are used to determine a thickness of dielectric film.

Las características de SILC y la densidad de los defectos de GOI de las obleas de silicio con las películas dieléctricas finas (e.g. SiO.sub.2) se determinan usando un método sin contacto que no requiera ninguna estructuras de la prueba en la oblea. El método incluye tensionar un dieléctrico con una descarga de corona y medir las características dieléctricas del voltaje del actual-diele'ctrico (intravenoso) supervisando bajo iluminación la neutralización de la carga de la corona después de la tensión. Una medida del intravenoso hecha como función del fluence de la corona da las características de SILC de la oblea. Las características de SILC entonces se comparan en una campo dieléctrica constante para proporcionar una medida de densidad del defecto de GOI. El corresponder característico del intravenoso al fluence bajo que no genera SILC mensurable se utiliza para determinar un grueso de la película dieléctrica.