The semiconductor device is constituted in such a manner that a switching
transistor having a drain region and a source region which are comprised
of an impurity-diffused region is formed in the surface layer portion of a
semiconductor substrate. On the semiconductor substrate containing the
transistor, a first insulation film is formed, and, at the upper layer
side of the first insulation film, a capacitor is formed. The capacitor is
comprised of a lower electrode, an inter-electrode insulation film
comprising one of ferroelectric and high-permittivity dielectric, and an
upper electrode. Before the inter-electrode insulation film is formed, a
second insulation film is formed so as to cover the side face portion of
the inter-electrode insulation film, the second insulation film protecting
the side face portion of the inter-electrode insulation film. One of the
drain region and the source region and one of the upper electrode and the
lower electrode of the capacitor are connected to each other by an
electrode wiring. A wiring connected to the other one of the drain region
and the source region is formed on the semiconductor. substrate.
Das Halbleiterelement wird festgesetzt, derart daß ein Schaltung Transistor, der eine Abflußregion und eine Quellregion hat, die von einer Verunreinigung-zerstreuten Region enthalten werden, im Deckschichtteil eines Halbleitersubstrates gebildet wird. Auf dem Halbleitersubstrat, das den Transistor enthält, wird ein erster Isolierung Film gebildet, und, an der oberen Schichtseite des ersten Isolierung Filmes, wird ein Kondensator gebildet. Der Kondensator wird von einer untereren Elektrode, von einem Inter-electrodeisolierung Film, der ein vom ferroelectric und Hochgenehmigung Nichtleiter enthalten, und von einer oberen Elektrode enthalten. Bevor der Inter-electrodeisolierung Film gebildet wird, wird ein zweiter Isolierung Film gebildet, um den seitlichen Gesicht Teil des Inter-electrodeisolierung Filmes, der zweite Isolierung Film zu umfassen, der den seitlichen Gesicht Teil des Inter-electrodeisolierung Filmes schützt. Ein der Abflußregion und der Quellregion und eins der oberen Elektrode und der untereren Elektrode des Kondensators werden miteinander durch eine Elektrode Verdrahtung angeschlossen. Eine Verdrahtung schloß bis die andere der Abflußregion an und die Quellregion wird auf dem Halbleitersubstrat gebildet.
