A base cell for a gate array or standard cell integrated circuit design has N and P wells organized in checkerboard fashion, each well containing several P and N devices respectively. A first of the plurality of relatively deep P regions is adjacent to at least a first and a second of the plurality of relatively deep N regions. The first relatively deep N region is adjacent to the first relatively deep P region along a first edge of the first relatively deep N region, and to the second relatively deep P region along a second edge of the relatively deep N region. The first and second edges of the relatively deep N region are perpendicular. An array of the base cells therefore has a checkerboard pattern, unlike the striped pattern of typical gate array and standard cell designs. The array of the base cells is amenable to minimizing clock parasitic capacitance when clocked inverters, including the complimentary clocked inverters of latches, are laid out at vertexes of the checkerboard pattern.

Uma pilha baixa para uma disposição de porta ou um projeto padrão do circuito integrado da pilha tem os poços de N e de P organizados na forma do tabuleiro de damas, cada uma conter do poço diverso dispositivos de P e de N respectivamente. Um primeiro do plurality de regiões relativamente profundas de P realiza-se junto ao menos a um primeiras e a um segundo do plurality de regiões relativamente profundas de N. A primeira região relativamente profunda de N é junto à primeira região relativamente profunda de P ao longo de uma primeira borda da primeira região relativamente profunda de N, e à região relativamente profunda do segundo P ao longo de uma segunda borda da região relativamente profunda de N. As primeiras e segundas bordas da região relativamente profunda de N são perpendiculares. Uma disposição das pilhas baixas tem conseqüentemente um teste padrão do tabuleiro de damas, ao contrário do teste padrão listrado da disposição de porta típica e de projetos padrão da pilha. A disposição das pilhas baixas é amenable à capacidade parasítica minimizando do pulso de disparo quando os inversores cronometrados, including os inversores cronometrados complimentary das travas, são colocados para fora em vertexes do teste padrão do tabuleiro de damas.

 
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< Boride-based substrate for growing semiconducting layers thereon and a semiconductor device using the same

< High frequency semiconductor device housing package and mounting structure for mounting the same

> Surface acoustic wave device having plural ground conductor films in the housing cavity

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