A magnetic resonance imaging system includes a main magnetic field generator (10, 12) which produces a temporally constant magnetic field through an examination region (14). A gradient coil assembly (18) powered by a gradient field amplifier (20) produces gradient fields orthogonal to the main magnetic field. The gradient field amplifier (20) includes a heat sink (40) for dissipating the thermal energy of at least one power semiconductor device (44) having a first surface opposite a thermally conductive surface (42). The thermally conductive surface (42) is in contact with the heat sink (40) for transferring the thermal energy. A rigid plate clamp assembly (50) is affixed to the heat sink (40) and the semiconductor device (44) is disposed therebetween. A resiliently deformable spring (60) is positioned between a first surface of the semiconductor package (44) and the plate clamp (50) maintaining positive pressure between the thermally conductive surface (42) and the heat sink (40). The resilient deformable spring (60) has an inner ring (62) in contact with the rigid plate assembly (50) and an outer ring (64) angled from the inner ring in contact with the first surface of the semiconductor package (44). Preferably, a plurality of semiconductor devices are provided each utilizing a deformable spring to ensure thermal contact between each semiconductor power device and the heat sink.

Un sistema de la proyección de imagen de resonancia magnética incluye un generador principal del campo magnético (10, 12) que produzca un campo magnético temporal constante con una región de la examinación (14). Un montaje de bobina del gradiente que (18) accionó por un amplificador del campo del gradiente (20) produce los campos del gradiente orthogonal al campo magnético principal. El amplificador del campo del gradiente (20) incluye un disipador de calor (40) para disipar la energía termal por lo menos de un dispositivo de semiconductor de la energía (44) que tiene una primera superficie enfrente de una superficie termal conductora (42). La superficie termal conductora (42) está en contacto con el disipador de calor (40) para transferir la energía termal. Un montaje rígido de la abrazadera de la placa (50) se pone al disipador de calor (40) y se dispone el dispositivo de semiconductor (44) therebetween. Un resorte resistente deformable (60) se coloca entre una primera superficie del paquete del semiconductor (44) y la presión positiva que mantiene de la abrazadera de la placa (50) entre la superficie termal conductora (42) y el disipador de calor (40). El resorte deformable resistente (60) tiene un anillo interno (62) en contacto con el montaje de placa rígido (50) y un anillo externo (64) pescado con caña del anillo interno en contacto con la primera superficie del paquete del semiconductor (44). Preferiblemente, una pluralidad de dispositivos de semiconductor se proporciona cada uno que utiliza un resorte deformable para asegurar el contacto termal entre cada dispositivo de energía del semiconductor y el disipador de calor.

 
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