The disclosure relates to a method for fabricating a capacitor that prevents a rise in the production cost and complexity of production processes caused by performing deposition and subsequent treatment thereof whenever a layer is formed. The disclosure provides a method for fabricating a capacitor, including the steps of: forming a Ti.sub.1-x Zr.sub.x N layer on a substrate, wherein x is in the range of 0 to 0.5, inclusive; forming an electrode layer on the Ti.sub.1-x Zr.sub.x N layer; and forming a ZrO.sub.2 layer on an interface between the electrode layer and the Ti.sub.1-x Zr.sub.x N layer by performing a thermal treatment in an atmosphere containing oxygen gas, whereby a capacitor having a bottom electrode formed with the Ti.sub.1-x Zr.sub.x N layer, a dielectric layer formed with the ZrO.sub.2 layer, and a top electrode formed with the electrode layer is fabricated.

La rilevazione si riferisce ad un metodo per fabbricare un condensatore che impedisce un aumento nel costo di produzione e la complessità dei processi di produzione causati effettuando il deposito ed il trattamento successivo di ciò ogni volta che uno strato è formato. La rilevazione fornisce un metodo per fabbricare un condensatore, compreso i punti di: formando un Ti.sub.1-x Zr.sub.x N fa uno strato di su un substrato, in cui la x è nella gamma di 0 - 0.5, compreso; formando un elettrodo faccia uno strato di sullo strato di Ti.sub.1-x Zr.sub.x N; e formando uno strato ZrO.sub.2 su un'interfaccia fra lo strato dell'elettrodo e lo strato di Ti.sub.1-x Zr.sub.x N effettuando un trattamento termico in un atmosfera che contiene il gas dell'ossigeno, per cui un condensatore che ha un elettrodo inferiore formato con lo strato di Ti.sub.1-x Zr.sub.x N, uno strato dielettrico formato con lo strato ZrO.sub.2 e un elettrodo superiore formato con lo strato dell'elettrodo è fabbricato.