A thin film ferroelectric varactor device comprising a substrate layer, a ferroelectric layer structure and an electrode structure is presented. The ferroelectric layer structure comprises a number of ferroelectric layers and a number of intermediate buffer layers arranged in an alternating manner. At least a first and a second layer of the ferroelectric layers have different Curie temperatures, i.e. the dielectric constant of the first ferroelectric layer has a maximum at a temperature which is different from the temperature at which the dielectric constant of the second ferroelectric layer has a maximum.

Un dispositivo ferroelectric del varactor della pellicola sottile che contiene uno strato del substrato, una struttura ferroelectric di strato e una struttura dell'elettrodo è presentato. La struttura ferroelectric di strato contiene un certo numero di strati ferroelectric ed un certo numero di strati intermedi dell'amplificatore organizzati in un modo alternato. Un almeno primo e secondo strato degli strati ferroelectric ha temperature di curie differenti, cioè il costante dielettrico del primo strato ferroelectric ha un massimo ad una temperatura che è differente dalla temperatura a cui il costante dielettrico del secondo strato ferroelectric ha un massimo.