In order to determine an amount of critical dimension variation to expect across a surface of a final production wafer, a plurality of test structures are formed on a test wafer. The test structures are preferably of a type commonly found on the final production wafer and may for example, include transistors, ring oscillators, resistors and/or diodes. Electrical parameter testing of the test structures is next conducted in order to obtain one or more electrical performance values for each test structure. For example, the electrical performance values may correspond to processing speed, drive current, and/or off-state current of the test structures. A correlation between the electrical performance values and expected critical dimension variations is then performed and a report is generated providing the expected critical dimension variations across the surface of the wafer. Expected critical dimension variations may be accounted for by varying characteristics of devices used during a photolithographic transfer process to the final production wafers.

Per determinare una quantità di variazione critica di dimensione per prevedere attraverso una superficie di una cialda di produzione finale, una pluralità di strutture della prova è formata su una cialda della prova. Le strutture della prova sono preferibilmente di un tipo trovato comunemente sulla cialda di produzione finale e possono per esempio, includere i transistori, gli oscillatori dell'anello, i resistori e/o i diodi. La prova elettrica di parametro delle strutture della prova dopo sarà effettuata per ottenere uno o più valori elettrici di prestazioni per ogni struttura della prova. Per esempio, i valori elettrici di prestazioni possono corrispondere a velocità, alla corrente di azionamento e/o alla corrente d'elaborazione di off-dichiarare delle strutture della prova. Una correlazione fra i valori elettrici di prestazioni e le variazioni critiche previste di dimensione allora è effettuata e un rapporto è generato che fornisce le variazioni critiche previste di dimensione attraverso la superficie della cialda. Le variazioni critiche previste di dimensione possono essere rappresentate variando le caratteristiche dei dispositivi utilizzati durante il processo photolithographic di trasferimento alle cialde di produzione finale.