A method for etching an insulating layer without damage to the conducting
layer and associated liner layer within the insulating layer. A dielectric
layer is deposited on a semiconductor substrate and then patterned. A
liner layer and a conducting layer are then deposited within the patterned
dielectric. A passivating layer is deposited on top of the conducting
layer after the conducting layer has been planarized through
chemical-mechanical polishing while simultaneously etching the dielectric
layer through a process that does not damage the underlying conducting and
liner layers. The insulating layer is preferably a dielectric such as
silicon dioxide and the liner layer is tantalum, tantalum nitride or a
combination of the two. The passivating layer preferably consists of
carbon and fluorine bound up in various chemical forms. The conducting
layer preferably consists of copper. Recipes for simultaneously forming
the passivating layer and etching the dielectric layer, and for removing
the passivating layer without damaging the underlying conducting and liner
layers are provided.
Une méthode pour graver à l'eau-forte une couche de isolation sans dommages à la couche de conduite et le recouvrement associé posent dans la couche de isolation. Une couche diélectrique est déposée sur un substrat de semi-conducteur et puis modelée. Une couche de recouvrement et une couche de conduite sont alors déposées dans le diélectrique modelé. Une couche isolante est déposée sur la couche de conduite après que la couche de conduite ait été planarized par le polissage produit-mécanique tout en simultanément gravant à l'eau-forte la couche diélectrique par un processus qui n'endommage pas les couches fondamentales de conduite et de recouvrement. La couche de isolation est de préférence un diélectrique tel que le bioxyde de silicium et la couche de recouvrement est tantale, nitrure de tantale ou une combinaison des deux. La couche isolante se compose de préférence du carbone et du fluor liés dans diverses formes chimiques. La couche de conduite se compose de préférence du cuivre. Des recettes pour former simultanément la couche isolante et graver à l'eau-forte la couche diélectrique, et pour enlever la couche isolante sans endommager les couches fondamentales de conduite et de recouvrement sont fournies.
