A layered bismuth ferroelectric structure (12) and a method for forming the bismuth layered ferroelectric structure (12). A monolayer (12A) of bismuth is formed in intimate contact with a single crystalline semiconductor material (11). A layered ferroelectric material (12) is grown on the monolayer (12A) of bismuth such that the monolayer (12A) of bismuth becomes a part of the layered ferroelectric material (12). The ferroelectric material (12) forms a layered ferroelectric material which is not a pure perovskite, wherein the crystalline structure at the interface between the single crystalline semiconductor material (11) and the monolayer (12A) of bismuth are substantially the same.

Uma estrutura ferroelectric mergulhada do bismuto (12) e um método para dar forma ao bismuto mergulharam a estrutura ferroelectric (12). Um monolayer (12A) do bismuto é dado forma no contato do intimate com um único material cristalino do semicondutor (11). Um material ferroelectric mergulhado (12) é crescido no monolayer (12A) do bismuto tais que o monolayer (12A) do bismuto se transforma uma parte do material ferroelectric mergulhado (12). O material ferroelectric (12) dá forma a um material ferroelectric mergulhado que não seja um perovskite puro, wherein a estrutura cristalina na relação entre o único material cristalino do semicondutor (11) e o monolayer (12A) do bismuto é substancialmente a mesma.