Each match word line driver circuit associated with a content addressable memory (CAM) utilizes a scannable latch for testing. The scannable latches associated with a particular CAM are connected together, scan output of one to scan input of the next, forming a scanning latch chain. In test mode the scannable dynamic latch is used either for testing CAM match circuits or for driving word lines to test the RAM array. Testing CAM match circuits is accomplished by patterning the CAM array with known storage values. The match circuitry then compares an effective address to each storage value and the results are scanned out. Testing the RAM array is performed by driving each word line with a known scan value. Each word line responds the scan value and a sense amplifier outputs a RAM array value based on the word line.

Cada linha excitador que da palavra do fósforo o circuito associou com uma memória endereçável satisfeita (CAME) utiliza uma trava scannable testando. As travas scannable associadas com uma CAME particular são conectadas junto, uma saída da varredura de uma para fazer a varredura da entrada do seguinte, dando forma a uma corrente da trava da exploração. Na modalidade do teste a trava dinâmica scannable é usada para circuitos testando do fósforo da CAME ou dirigindo linhas da palavra para testar a disposição da RAM. Que testa o fósforo da CAME circuitos é realizado modelando a disposição da CAME com valores sabidos do armazenamento. Os circuitos do fósforo comparam então um endereço eficaz a cada valor do armazenamento e os resultados são feitos a varredura para fora. Testar a disposição da RAM é executado dirigindo cada linha da palavra com um valor sabido da varredura. Cada linha da palavra responde o valor da varredura e um amplificador do sentido outputs um valor da disposição da RAM baseado na linha da palavra.