A method is provided for determining an etch endpoint. The method includes collecting intensity data representative of optical emission spectral wavelengths during a plasma etch process. The method further includes analyzing at least a portion of the collected intensity data into at most first and second Principal Components with respective Loadings and corresponding Scores. The method also includes determining the etch endpoint using the respective Loadings and corresponding Scores of the second Principal Component as an indicator for the etch endpoint using real-time Principal Components Analysis applied to optical emission spectral data from a previous portion of the plasma etch process.

Метод обеспечен для обусловливать endpoint etch. Метод вклюает собирать представителя данным по интенсивности длин волны оптически излучения спектральных во время процесса etch плазмы. Метод более дальнейший вклюает анализировать по крайней мере часть собранных данных по интенсивности в на большинств первое и во-вторых основных компонентов с соответственно счетами нагрузок и соответствовать. Метод также вклюает обусловливать endpoint etch использующ соответственно нагрузки и соответствуя счеты второго основного компонента как индикатор для endpoint etch используя в реальном масштабе времени анализ основных компонентов приложенный к данным по оптически излучения спектральным от ранее части плазмы вытравляют процесс.