An apparatus for growing thin films by exposing the substrate to alternately repeated surface reactions of vapor-phase reactants. The apparatus comprises a reaction chamber including a reaction space, infeed means connected to the reaction space for feeding into the reaction space the reactants, and outfeed means connected to the reaction space for discharging waste gases. At least one substrate is adapted into the reaction space and a second surface is also adapted into the reaction space in a disposition opposed to the surface of the substrate. The thin-film growth supporting surface of the substrate and the other surface disposed opposing the same are arranged in the reaction chamber so as to subtend an angle opening in the flow direction of the reactants in relation to the opposed surfaces. The distance between the opposed surfaces at the infeed end of reactants is smaller than at the gas outfeed end.

Un appareil pour accroître les couches minces en exposant le substrat aux réactions extérieures alternativement répétées des réactifs de vapeur-phase. L'appareil comporte une chambre de réaction comprenant un espace de réaction, moyens d'entrée reliés à l'espace de réaction pour introduire dans l'espace de réaction les réactifs, et outfeed des moyens reliés à l'espace de réaction pour décharger les gaz de rebut. Au moins un substrat est adapté dans l'espace de réaction et une deuxième surface est également adaptée dans l'espace de réaction dans une disposition opposée à la surface du substrat. La surface de support de croissance en couche mince du substrat et l'autre surface disposée s'opposant à la même chose sont arrangées dans le subtend de chambre de réaction une ouverture d'angle dans le sens d'écoulement des réactifs par rapport aux surfaces opposées. La distance entre les surfaces opposées à l'extrémité d'entrée des réactifs est plus petite qu'au gaz outfeed l'extrémité.