A first reactant gas is flowed into a CVD reaction chamber containing a heated integrated circuit substrate. The first reactant gas contains a first precursor compound or a plurality of first precursor compounds, and the first precursor compound or compounds decompose in the CVD reaction chamber to deposit a coating containing metal atoms on the heated integrated circuit substrate. The coating is treated by RTP. Thereafter, a second reactant gas is flowed into a CVD reaction chamber containing the heated substrate. The second reactant gas contains a second precursor compound or a plurality of second precursor compounds, which decompose in the CVD reaction chamber to deposit more metal atoms on the substrate. Heat for reaction and crystallization of the deposited metal atoms to form a thin film of layered superlattice material is provided by heating the substrate during CVD deposition, as well as by selected rapid thermal processing ("RTP") and furnace annealing steps.

Un premier gaz de réactif est coulé dans une chambre de réaction de CVD contenant un substrat de chauffage de circuit intégré. Le premier gaz de réactif contient un premier composé de précurseur ou une pluralité des premiers composés de précurseur, et le premiers composé ou composés de précurseur se décomposent dans la chambre de réaction de CVD pour déposer les atomes contenants enduisants en métal sur le substrat de chauffage de circuit intégré. L'enduit est traité par RTP. Ensuite, un deuxième gaz de réactif est coulé dans une chambre de réaction de CVD contenant le substrat de chauffage. Le deuxième gaz de réactif contient un deuxième composé de précurseur ou une pluralité des deuxièmes composés de précurseur, qui se décomposent dans la chambre de réaction de CVD pour déposer plus d'atomes en métal sur le substrat. La chaleur pour la réaction et la cristallisation des atomes déposés en métal pour former une couche mince de matériel posé de superlattice est fournie en chauffant le substrat pendant le dépôt de CVD, aussi bien que par le traitement rapide choisi d'courant ascendant ("RTP") et les étapes de recuit de four.