A method of manufacturing an epitaxially-strained lattice film of an oxide, in which epitaxially-strained lattices having a good crystalline property are formed by applying RF power to a substrate holder and irradiating positive ions having a moderate energy while preventing damage to the strained lattice film to be stacked by oxygen negative ions. This method simultaneously overcomes both the problem of damage to the film by irradiation of oxygen negative ions, which is peculiar to sputtering of oxides, and the problem of failure to strain due to relaxation of the strain during deposition.

Une méthode de fabriquer un film épitaxial-tendu de trellis d'un oxyde, en lequel épitaxial-a tendu des trellis avoir une bonne propriété cristalline sont constituées en mettant rf à un support de substrat et en irradiant sous tension les ions positifs ayant une énergie modérée tout en empêchant des dommages au film tendu de trellis à empiler par des ions de négatif de l'oxygène. Cette méthode surmonte simultanément le problème des dommages au film par l'irradiation des ions négatifs de l'oxygène, qui est particulière à la pulvérisation des oxydes, et le problème du manque de tendre en raison de la relaxation de la contrainte pendant le dépôt.