A method for forming capacitor using a tantalum oxide (TaO.sub.5) layer is disclosed. Tantalum oxide is deposited by an atomic layer deposition ALD process so that the step-coverage of the tantalum oxide layer is improved, and accordingly the electrical characteristics of the capacitor are improved.

Een methode om condensator te vormen die laag een van het tantaliumoxyde (TaO.sub.5 wordt) gebruikt onthuld. Het oxyde van het tantalium wordt gedeponeerd door een atoomproces van het laagdeposito ALD zodat de stap-dekking van de laag van het tantaliumoxyde beter is, en dienovereenkomstig zijn de elektrokenmerken van de condensator beter.

 
Web www.patentalert.com

< Atomic layer deposition of capacitor dielectric

< Radical-assisted sequential CVD

> Method of forming graded thin films using alternating pulses of vapor phase reactants

> Vertical MOSFET with asymmetric gate structure

~ 00071