A method for forming capacitor using a tantalum oxide (TaO.sub.5) layer is
disclosed. Tantalum oxide is deposited by an atomic layer deposition ALD
process so that the step-coverage of the tantalum oxide layer is improved,
and accordingly the electrical characteristics of the capacitor are
improved.
Een methode om condensator te vormen die laag een van het tantaliumoxyde (TaO.sub.5 wordt) gebruikt onthuld. Het oxyde van het tantalium wordt gedeponeerd door een atoomproces van het laagdeposito ALD zodat de stap-dekking van de laag van het tantaliumoxyde beter is, en dienovereenkomstig zijn de elektrokenmerken van de condensator beter.