A method of depositing a thin film on a substrate in a semiconductor device using Atomic Layer Deposition (ALD) process parameters exposes the substrate to at least one adherent material in a quantity sufficient for the material to adsorb onto the substrate and thereby form an initiation layer. The initiation layer presents at least one first reactive moiety which is then chemically reacted with at least one first reaction material using atomic layer deposition conditions to form a second reactive moiety. The second reactive moiety is then chemically reacted with at least one second reaction material under process conditions sufficient to form a reaction layer over the initiation layer. The process may be repeated to form successive reaction layers over the initiation layer. The adherent material constituting the initiation layer is preferably one which is not substantially degraded by the atomic layer deposition parameters. The initiation layer together with one or more reaction layer(s) constitutes the final film.

Un metodo di depositare una pellicola sottile su un substrato in un dispositivo a semiconduttore che usando i parametri trattati atomici di deposito di strato (ALD) espone il substrato almeno ad un materiale aderente in una quantità sufficiente affinchè il materiale adsorbisca sul substrato e quindi per formare uno strato di inizio. Lo strato di inizio presenta almeno una prima parte reattiva che allora chimicamente è reagita con almeno un primo materiale di reazione usando gli stati atomici di deposito di strato per formare una seconda parte reattiva. La seconda parte reattiva allora chimicamente è reagita con almeno un secondo materiale di reazione nelle circostanze trattate sufficienti per formare uno strato di reazione sopra lo strato di inizio. Il processo può essere ripetuto per formare gli strati successivi di reazione sopra lo strato di inizio. Il materiale aderente che costituisce lo strato di inizio è preferibilmente uno che non è degradato sostanzialmente dai parametri atomici di deposito di strato. Lo strato di inizio insieme agli uno o più layer(s) di reazione costituisce la pellicola finale.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor device fabricated by a method of reducing electromigration in copper lines by forming an interim layer of calcium-doped copper seed layer in a chemical solution

< Electropolishing metal layers on wafers having trenches or vias with dummy structures

> Semiconductor catalytic layer and atomic layer deposition thereof

> Method of copper interconnect formation using atomic layer copper deposition and a device thereby formed

~ 00070