An ESD protection circuit that can be easily configured to provide ESD event protection against a range of ESD event voltages. The circuit is also compatible with high frequency ICs. The ESD protection circuit includes an input terminal configured to receive an ESD event signal and a diode sub-circuit. The diode sub-circuit includes at least one diode (e.g., either a single diode or a plurality of diodes connected in series or parallel configuration), a diode input node and a diode output node. The diode sub-circuit is configured to receive an ESD event signal from the input terminal and to operate under forward bias conditions to provide a diode output signal at the diode output node. The circuit also includes a bipolar junction transistor (e.g., a Si--Ge bipolar junction transistor) with a base, a collector and an emitter. The emitter is configured to receive the ESD event signal from the input terminal, while the base is configured to receive the diode output signal from the diode output node. A resistor, with a resistor input node, a resistor output node and an output terminal, is also included in the circuit. The resistor input node is electrically connected to the diode output node and the output terminal is connected to the resistor output node, the emitter and ground. By predetermining the electrical characteristics (e.g., forward bias voltage) and number of diodes in the diode sub-circuit, the circuit can be adapted to provide ESD protection against a range of ESD event voltages.

Ein ESD Schutzstromkreis, der leicht zusammengebaut werden kann, um ESD Fallschutz gegen eine Strecke der ESD Fallspannungen zur Verfügung zu stellen. Der Stromkreis ist auch mit HochfrequenziCs kompatibel. Der ESD Schutzstromkreis schließt einen Eingang Anschluß ein, der zusammengebaut wird, um ein ESD Fallsignal und einen Diode Vor-Stromkreis zu empfangen. Der Diode Vor-Stromkreis schließt mindestens eine Diode (z.B., entweder eine einzelne Diode oder eine Mehrzahl von den Dioden angeschlossen in der Reihe oder in der parallelen Konfiguration), eine Diode eingab Nullpunkt und einen Diode Ausgang Nullpunkt mit ein. Der Diode Vor-Stromkreis wird, um ein ESD Fallsignal vom Eingang Anschluß zu empfangen zusammengebaut und unter vorderen schrägen Bedingungen zu funktionieren, um ein Diode Ausgangssignal am Diode Ausgang Nullpunkt zur Verfügung zu stellen. Der Stromkreis schließt auch einen bipolaren Sperrschicht-Transistor (z.B., ein Silikon -- GE bipolarer Sperrschicht-Transistor) mit einer Unterseite, einem Kollektor und einem Emitter mit ein. Der Emitter wird zusammengebaut, um das ESD Fallsignal vom Eingang Anschluß zu empfangen, während die Unterseite zusammengebaut wird, um das Diode Ausgangssignal vom Diode Ausgang Nullpunkt zu empfangen. Ein Widerstand, mit einem Widerstand geben Nullpunkt, ein Widerstandausgang Nullpunkt ein und ein Ausgangsanschluß, ist auch im Stromkreis eingeschlossen. Der Widerstandeingang Nullpunkt wird elektrisch an den Diode Ausgang Nullpunkt angeschlossen und der Ausgangsanschluß wird an den Widerstandausgang Nullpunkt, den Emitter und Boden angeschlossen. Indem man die elektrischen Eigenschaften (z.B., vordere Vorspannung) und Zahl der Dioden im Diode Vor-Stromkreis vorbestimmt, kann der Stromkreis angepaßt werden, um ESD Schutz gegen eine Strecke der ESD Fallspannungen zur Verfügung zu stellen.