Series or parallel LED arrays are formed on a highly resistive substrate, such that both the p- and n-contacts for the array are on the same side of the array. The individual LEDs are electrically isolated from each other by trenches or by ion implantation. Interconnects deposited on the array connects the contacts of the individual LEDs in the array. In some embodiments, the LEDs are III-nitride devices formed on sapphire substrates. In one embodiment, two LEDs formed on a single substrate are connected in antiparallel to form a monolithic electrostatic discharge protection circuit. In one embodiment, multiple LEDs formed on a single substrate are connected in series . In one embodiment, multiple LEDs formed on a single substrate are connected in parallel. In some embodiments, a layer of phosphor covers a portion of the substrate on which one or more individual LEDs is formed.

Reihen oder parallele LED Reihen werden auf einem in hohem Grade widerstrebenden Substrat, so daß das p gebildet und n-in Verbindung treten für die Reihe sind auf der gleichen Seite der Reihe. Die einzelnen LED werden elektrisch von einander durch Gräben oder durch Ionenimplantation lokalisiert. Schaltet niedergelegt auf der Reihe anschließt die Kontakte der einzelnen LED in der Reihe zusammen. In einigen Verkörperungen sind die LED die III-Nitrid Vorrichtungen, die auf Saphirsubstraten gebildet werden. In einer Verkörperung werden zwei LED, die auf einem einzelnen Substrat gebildet werden, im antiparallel angeschlossen, um einen monolithischen elektrostatischen Entladung Schutzstromkreis zu bilden. In einer Verkörperung werden mehrfache LED, die auf einem einzelnen Substrat gebildet werden, in der Reihe geschaltet. In einer Verkörperung werden mehrfache LED, die auf einem einzelnen Substrat gebildet werden, in der Ähnlichkeit angeschlossen. In einigen Verkörperungen umfaßt eine Schicht des Phosphors einen Teil des Substrates, auf dem eine oder mehr einzelnen LED gebildet wird.