The specification describes thin film transistor (TFT) devices with source/drain contacts made by a metallo organic deposition (MOD) method wherein a metallo organic compound/metal particulate mixture is deposited to form a base pattern, and the base pattern is then plated with gold. The porous, relatively high resistance base pattern is thereby converted to a corrosion resistant, low resistance contact. The plating covers the sidewalls of the base pattern, thus allowing the final channel length to be less than the minimum design rule used for depositing the base pattern.

La especificación describe los dispositivos del transistor de la película fina (TFT) con los contactos de source/drain hechos por un método orgánico metallo de la deposición (MOD) en donde una mezcla de partículas orgánica metallo de compound/metal se deposita para formar un patrón bajo, y el patrón bajo entonces se platea con oro. El patrón poroso, relativamente alto de la base de la resistencia de tal modo se convierte a una corrosión resistente, contacto bajo de la resistencia. La galjanoplastia cubre los flancos del patrón bajo, así permitiendo que la longitud de canal final sea menos que la regla mínima del diseño usada para depositar el patrón bajo.