High quality epitaxial layers of piezoelectric material materials can be grown overlying large silicon wafers by first growing an accommodating buffer layer on a silicon wafer. The accommodating buffer layer is a layer of monocrystalline oxide spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer of silicon oxide. The amorphous interface layer dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer. Any lattice mismatch between the accommodating buffer layer and the underlying silicon substrate is taken care of by the amorphous interface layer.

Слоями высокого качества эпитаксиальными пьезоэлектрических материальных материалов могут быть, котор выросли overlying большие вафли кремния сперва расти accommodating слой буфера на вафле кремния. Accommodating слоем буфера будет слой monocrystalline окиси размеченный отдельно от вафли кремния аморфическим слоем поверхности стыка окиси кремния. Аморфический слой поверхности стыка рассеивает напряжение и позволяет рост слоя буфера monocrystalline окиси высокого качества accommodating. Любому рассогласованию решетки между accommodating слоем буфера и основным субстратом кремния позаботятся о аморфический слой поверхности стыка.