A magnetic random-access memory comprises a semiconductor substrate (1) on
which write word lines (2) and bit lines (3) intersecting each other are
arranged, TMR elements (7) formed individually in areas of intersection of
the write word lines (2) and the bit lines (3), each TMR element (7) being
formed by stacking a free-spin layer (4) whose magnetization direction is
variable, a fixed-spin layer (6) whose magnetization direction is fixed
and an insulator layer (5) placed between the first and second magnetic
substance layers, and access transistors (10). The TMR elements (7) are
located where word lines (8a) which serve as gates of the access
transistors (10) intersect the bit lines (3) so that the word lines (8a)
perform the functions of both write and read word lines. This arrangement
reduces the complexity involved in creating a multilayer interconnection
structure, simplifies the structure and manufacturing processes of the
magnetic random-access memory, and enables its miniaturization and a
higher level of integration.
Магнитная произвольно-доступная память состоит из субстрата (1) на пишет линии слова (2) и линии аранжирован бит (3) пересекая, элементов полупроводника TMR (7) сформированных индивидуально в районах пересечения линий слова писания (2) и линии бита (3), каждый элемент TMR (7) формировал путем штабелировать свободно-zakrucivaht слой (4) которого направление замагничивания переменно, фикчированн-zakrucivaht слой (6) которого направлением замагничивания будет фикчировано и слои изолятора (5) помещено между первыми и вторыми магнитными слоями вещества, и транзисторы доступа (10). Элементы TMR (7) обнаружены местонахождение где линии слова (8Јa) служят по мере того как стробы транзисторов доступа (10) пересекают бит выравнивают (3) так, что линии слова (8Јa) выполнят функции и пишут и читают линии слова. Это расположение уменьшает сложность, котор включили в создавать разнослоистую структуру соединения, упрощает структуры и процесса производства магнитной произвольно-доступной памяти, и включает свою миниатюризацию и более высокий уровень внедрения.
