There are provided a semiconductor laser, a semiconductor light emitting device, and methods of manufacturing the same wherein a threshold current density in a short wavelength semiconductor laser using a nitride compound semiconductor can be reduced. An active layer is composed of a single gain layer having a thickness of more than 3 nm, and optical guiding layers are provided between the active layer and cladding layers respectively.

Παρέχονται ένα λέιζερ ημιαγωγών, μια ελαφριά εκπέμποντας συσκευή ημιαγωγών, και οι μέθοδοι το ίδιο πράγμα όπου μια πυκνότητα ρεύματος κατώτατων ορίων σε ένα κοντό λέιζερ ημιαγωγών μήκους κύματος που χρησιμοποιεί έναν σύνθετο ημιαγωγό νιτριδίων μπορεί να μειωθεί. Ένα ενεργό στρώμα αποτελείται από ένα ενιαίο στρώμα κέρδους που έχει ένα πάχος περισσότερων από 3 NM, και τα οπτικά καθοδηγώντας στρώματα παρέχονται μεταξύ των ενεργών στρωμάτων στρώματος και επένδυσης αντίστοιχα.