A semiconductor device having a structure capable of restraining deterioration of a dielectric film of a capacitor even when annealing is performed in a hydrogen-containing atmosphere. This semiconductor device includes one electrode or a plurality of dispersion electrodes formed in a dispersed manner above a semiconductor substrate, and a plate electrode commonly facing the one electrode or dispersion electrodes via respective dielectric films. This plate electrode includes a lower conductive layer formed on the dielectric films, a barrier layer formed on the lower conductive layer and an upper conductive layer formed on the barrier layer.

Ein Halbleiterelement, das eine Struktur fähig zum Zurückhalten von von Verschlechterung eines dielektrischen Filmes eines Kondensators hat, selbst wenn Ausglühen in einer Wasserstoff-enthaltenen Atmosphäre durchgeführt wird. Dieses Halbleiterelement schließt eine Elektrode oder eine Mehrzahl der Zerstreuung Elektroden mit ein, die in einer zerstreuten Weise über einem Halbleitersubstrat gebildet werden, und eine Platte Elektrode, welche allgemein die eine Elektrode oder Zerstreuung Elektroden über jeweilige dielektrische Filme gegenüberstellt. Diese Platte Elektrode schließt eine niedrigere leitende Schicht ein, die auf den dielektrischen Filmen, eine Grenzschicht gebildet wird, die auf der niedrigeren leitenden Schicht und einer oberen leitenden Schicht gebildet werden auf der Grenzschicht gebildet wird.